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【技術/電子工学】低電圧でも動作する有機強誘電体メモリーの印刷製造技術を開発 産総研など [転載禁止]©2ch.net

1 :もろ禿 ◆SHINE.1vOk もろ禿HINE! ★@転載は禁止:2015/10/01(木) 12:35:06.12 ID:???
共同発表:低電圧でも動作する有機強誘電体メモリーの印刷製造技術を開発〜プリンテッドエレクトロニクスを高度化する新たなラインアップ〜
http://www.jst.go.jp/pr/announce/20151001/index.html


http://www.jst.go.jp/pr/announce/20151001/icons/zu.gif
有機強誘電体単結晶薄膜の作製過程

http://www.jst.go.jp/pr/announce/20151001/icons/zu1.gif
図1 単結晶薄膜の作製
2−メチルベンゾイミダゾールの分子構造(a)、単結晶薄膜作製プロセスの概念図(b)、MBI単結晶薄膜の偏光顕微鏡写真(c)。試料の回転(偏光板の回転)により明暗が変化している様子が見られる。十字矢印は偏光板の方向を示す。スケールバーは400μm。
http://www.jst.go.jp/pr/announce/20151001/icons/zu2.gif
図2 放射光X線回折測定のイメージと回折写真(a)、結晶中の分子構造模式図(b)、
単結晶薄膜内の分子構造と自発分極の模式図(c)
http://www.jst.go.jp/pr/announce/20151001/icons/zu3.gif
図3 今回作製した単結晶薄膜の強誘電特性
(a)分極−電場特性。(b)分極反転の繰り返し測定。両図中のHz数は電場掃引の速さ。
http://www.jst.go.jp/pr/announce/20151001/icons/zu4.gif
図4 圧電応答顕微鏡による局所分極反転操作
(a)書込み操作後の位相像。(b)分極反転ドメインサイズの電圧印加時間依存性。(c)分極反転ドメインの面直(左)、面内(右)方向の位相像。


ポイント
低分子系有機強誘電体による単結晶薄膜の印刷製造技術を開発。
わずか3Vの電圧でメモリー動作が可能。
プリンテッドエレクトロニクスの低消費電力化に貢献。


国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】(以下「産総研」という)フレキシブルエレクトロニクス研究センター【研究センター長 鎌田 俊英】 フレキシブル材料基盤チーム 
野田 祐樹 産総研特別研究員、堀内 佐智雄 研究チーム長、同センター 長谷川 達生 総括研究主幹らは、国立研究開発法人 理化学研究所【理事長 松本 紘】
創発物性科学研究センター 動的創発物性研究ユニット 賀川 史敬 ユニットリーダー、大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構【機構長 山内 正則】 物質構造科学研究所
構造物性研究センター 熊井 玲児 教授、国立研究開発法人 科学技術振興機構【理事長 M口 道成】と共同で低分子系有機強誘電体注1)を用いた薄膜メモリー素子を、溶液を
パターニング塗布して製膜する印刷法により常温・常圧下で製造する技術を開発した。

有機強誘電体では、デバイス化に必須となる薄膜化が難しいことが課題となっていた。今回の技術は、溶液からの膜形成を促す新たな印刷手法により、きわめて均質性の高い強誘電体単結晶
薄膜を形成するものである。この技術を用いて作製した薄膜素子は、各種の記録素子の標準的な動作電圧を下回るわずか3Vの低電圧でメモリー動作する。今回開発した技術により、
プリンテッドエレクトロニクスによる強誘電体メモリーや不揮発トランジスタなどの低消費電力デバイスの研究開発が大きく加速すると期待される。

なお、この成果の詳細はドイツの学術誌Advanced Materialsに、近くオンライン公開される。

2 :名無しのひみつ@転載は禁止:2015/10/01(木) 13:28:59.78 ID:lYTZN8Tq
税金で開発→外国へ売り飛ばし→産総研など予算カットで消滅

3 :名無しのひみつ@転載は禁止:2015/10/01(木) 13:57:56.92 ID:BHRjwMvE
未来の"八木アンテナ"がまたひとつ。

4 :名無しのひみつ@転載は禁止:2015/10/01(木) 15:21:18.18 ID:q1o5NcIW
>>3
八木・宇田アンテナな。

宇田さんが浮かばれないだろ。

5 :名無しのひみつ@転載は禁止:2015/10/01(木) 15:36:55.42 ID:FPwZxgre
スマホの営業時間が2倍になるな

6 :名無しのひみつ@転載は禁止:2015/10/01(木) 16:22:17.87 ID:rwRvDcQf
アルカニダがパクリに来るぞ〜

7 :名無しのひみつ@転載は禁止:2015/10/01(木) 18:01:36.82 ID:Yth3JdIn
もうこんなのウンザリ。
集積化と量産化のメドが立ってからニュース流せ

8 :名無しのひみつ@転載は禁止:2015/10/01(木) 18:11:19.98 ID:triTybKI
こういうのが読みたくないならここに来なければいい
経済ニュースだけ見とけ

9 :名無しのひみつ@転載は禁止:2015/10/01(木) 20:07:37.64 ID:QfDD4kiK
この技術の利点は何なの?

10 :名無しのひみつ@転載は禁止:2015/10/01(木) 20:32:51.49 ID:VGpfMo+z
フラッシュメモリとちがって、1ビット毎の書き換えが出来る。
それにしても、むかしから聞くのになかなか流行らないね。FeRAM。

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